Número de Producto del Fabricante:
TSM2N60ECP ROG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM2N60ECP ROG-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12900208
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ENVIAR
TSM2N60ECP ROG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
362 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
52.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TSM2
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM2N60ECP ROGTR
TSM2N60ECP ROGDKR
TSM2N60ECPROGDKR
TSM2N60ECP ROGTR-DG
TSM2N60ECPROGTR
TSM2N60ECP ROGCT-DG
TSM2N60ECP ROGCT
TSM2N60ECP ROGDKR-DG
TSM2N60ECPROGCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM2NB60CP ROG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
4945
NÚMERO DE PIEZA
TSM2NB60CP ROG-DG
PRECIO UNITARIO
0.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
AOD2N60
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
26961
NÚMERO DE PIEZA
AOD2N60-DG
PRECIO UNITARIO
0.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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